大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网小卖部一天卖1000利润多少，一个小卖部一天卖1000能赚多少络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。小卖部一天卖1000利润多少，一个小卖部一天卖1000能赚多少存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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